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      金屬薄膜方塊電阻測試儀KDB-2B 儀器特點

      發(fā)布時間: 2016-04-08  點擊次數: 659次
       

      KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻,該方法操作簡單,測量。
      儀器特點如下:
      1、配有雙數字表:一塊數字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另一塊數字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更。
      數字電壓表量程:0—19.999mV 靈敏度:1μV 輸入阻抗:1000ΜΩ
      基本誤差±(0.04-0.05%讀數+0.01%滿度) ;
      2、方塊電阻測量范圍:1×10-5~1.9Ω/□;
      3、電流量程分兩檔:100mA和1000mA。

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