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      使用半導體分立器件測試儀的方法

      發布時間: 2017-07-20  點擊次數: 856次

      半導體分立器件測試儀
      一、產品特點:
      測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩定可靠,具有保護系統和被測器件的能力。測試儀由計算機操控,測試數據可存儲打印。除具有點測試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統軟件穩定可靠、硬件故障率低,在實際測試應用中各項技術指標均可達到器件手冊技術指標及國標要求。
      二、測試參數
      1. 二管
      VF、IR、BVR
      2. 穩壓(齊納)二管
      VF、IR、BV Z
      3. 晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
      4. 可控硅整流器(晶閘管)
      IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
      5. 場效應管
      IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS


      6. 光電耦合器
      VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
      *7.三端穩壓器
      VO、SV、ID、IDV

      三、測試參數范圍

      晶體管

       

      測試參數

      測試范圍

      ICEO

      ICBO

      IEBO

      1nA-100nA

      100nA-1uA

      1uA-100uA

      100uA-10mA

      VCE(sat)

      VBE(sat)

      0.10V-30V

      VBE(VBE(on))

      0.10V-30V

      hFE

      1-99999

      V(BR)EBO

      0.10V-30V

      V(BR)CEO

      V(BR)CBO

      0. 10V-50V

      50V-1499V

       

      二管

       

      測試參數

      測試范圍

      IR

      1nA-100nA

      100nA-1uA

      1uA-100uA

      100uA-10mA

      VF

      0.10V-30V

      V(BR)

      1V-50V

       

      50V-1499V

       

      穩壓二管

       

      測試參數

      測試范圍

      IR

      1nA-100nA

      100nA-1uA

      1uA-100uA

      100uA-10mA

      VF

      0.10V-30V

      VZ

      0.10V-50V

       

      三端穩壓器

       

      測試參數

      測試范圍

      VO

      0.10V-30V

      SV

      0.10mV-1V

      ID

      1uA-10mA

      IDV

      1uA-10mA

       

      MOSFET

       

      測試參數

      測試范圍

      VGS(th)

      0.10V-30V

      gfs

      0.1mS-1000S

      RDS(on)

      10mΩ-100KΩ

      VDS(on)

      0.10V-50V

      IGSS

      1nA-100nA

      100nA-1uA

      1uA-100uA

      100uA-10mA

      IDSS

      1nA-100nA

      100nA-1uA

      1uA-100uA

      100uA-10mA

      ID(on)

      0-50A

      V(BR)GSS

      0.1V-30V

      V(BR)DSS

      0.1V-1499V

       

      光耦

       

      測試參數

      測試范圍

      VF

      0.10V-30V

      IR

      1nA-100nA

      100nA-1uA

      1uA-100uA

      100uA-10mA

      VCE(sat)

      0.10V-50V

      CTR

      0.1%-1000%

      ICEO

      與IR參數相同

      V(BR)ECO V(BR)CEO

      0.10V-50V

      50V-1499V

       

      可控硅

       

      測試參數

      測試范圍

      IGT

      10uA-200mA

      VGT

      0.10V-30V

      IH

      10uA-1A

      IL

      10uA-1A

      VTM

      0.10V-50V

       

      四、技術指標

      1、源的指標

      主壓流源 (VA)

      電壓:

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